功率伊春箱式变压器新技术

　　从90年代中期开始，功率器件的研制取得飞速发展，高电压、大电流、导通电阻小的功率器件逐步研制出来。由于属氧化物场效应管 (MOSFET )具有时间短(<10ns)。激励功率小(电压激励器件)、对温度不敏感、无二次击穿、损耗低、脉冲拖尾电流小且易于并联使用的优点，在伊春箱式变压器中已取代了传统双极型晶体管而成为新的功率器件。目前MVOS功率金属氧化物场效应管频率可达到 450 MHz，已广泛于频率较高的伊春箱式变压器，但普通VMOS管在高电压大电流工作时导通电阻很大，器件发http://nanping.tjsdtl.com/热，输出效率下降。近年研制出的IGBT绝缘栅双极型晶体管不仅具有MOSryT电压激励等所有优点，同时还具有双极管正向饱和导通压降低的特性，主要用于百瓦级到千瓦级容量频率为2kkkHz左右的伊春箱式变压器中。根据日常的维护和维修工作统计，江苏省使用的几种厂家的伊春箱式变压器模块中均采用了IGBT绝缘栅双极型晶体管作为功率器件。采用功率因数补偿电路功率因数在伊春箱式变压器系统中是一项非常重要的指标，功率团数(Pf)的定义为电网中突变或脉动电流产生的有功功率和负载的视在功率之比，理想情况下功率因数为1。造成功率因数小的主要原因是交流电压和电流工作在不同的相位(即交流电压和电流产生相移)或交流电压和电流的波形产生失真。在高频伊春箱式变压器中主要是由于伊春箱式变压器输入端的整流滤波电路是容性负载，使交流电压和电流产生相位偏移而使功率因数减少。另外，由于电路中其他因素的影响，也会使伊春箱式变压器输入的交流电流产生一些失真。